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JUYI 500V/8A N Mode d'amélioration du canal MOSFET de puissance avec commutation rapide et récupération du corps inverse
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JUYI 500V/8A N Mode d'amélioration du canal MOSFET de puissance avec commutation rapide et récupération du corps inverse

Nom De Marque: JUYI
Numéro De Modèle: JY8N5M
Nombre De Pièces: 10SET
Prix: Négociable
Détails De L'emballage: Sac PE + Carton
Conditions De Paiement: L/C, T/T, PAYPAL
Informations détaillées
Description du produit
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Chine
Couleur:
Noir
Le canal:
Canal de N
Vitesse de commutation rapide:
- Oui, oui.
Portée de fonctionnement:
-55℃ à 150℃
logique d'entrée compatible:
3.3V et 5V
Circuits à haute fréquence:
- Oui, oui.
Capacité d'approvisionnement:
1000sets/day
Mettre en évidence:

MOSFET de puissance de 500 V

,

8A MOSFET de puissance

,

MOSFET à commutation rapide

Description du produit

JUYI 500V/8A N Mode d'amélioration du canal MOSFET de puissance avec commutation rapide et récupération du corps inverse

Définition générale
Le produit utilise les techniques de traitement planar avancées pour atteindre la densité de cellules élevée et réduit la résistance d'allumage avec un taux d'avalanche répétitif élevé.Ces caractéristiques combinées font de cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans les applications de commutation de puissance et une grande variété d'autres applications.
Caractéristiques
●Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à 500 V/8 A, RDS ((ON) = 0,75Ω@VGS=10 V ((typique)
●Commutation rapide et récupération du corps à l'envers
●Excellent emballage pour une bonne dissipation de chaleur
Applications
●Éclairage
●Appareils électriques à commutateur à haut rendement
Description du code PIN
JUYI 500V/8A N Mode d'amélioration du canal MOSFET de puissance avec commutation rapide et récupération du corps inverse 0
Rating maximal absolu ((Tc=25oC, sauf indication contraire)
Le symbole Paramètre Limite Unité
VRésultats de l'enquête Voltage de la source de vidange 500 V
VGS Voltage de la porte de sortie ± 30 V
Je suis...D
Écoulement continu
Actuel
 Tc = 25 °C 8 Une
Tc = 100 °C 4.8
Je suis...Le DM Courant de drainage pulsé 30 Une
PD Dissipation de puissance maximale 80 W
TJeTGST Plage de température de jonction de fonctionnement et de stockage -55 plus 150 oC
RθJC Résistance thermique - jonction avec le boîtier 1.56 °C/W

Caractéristiques électriques ((Tc=25oC, sauf indication contraire)
JUYI 500V/8A N Mode d'amélioration du canal MOSFET de puissance avec commutation rapide et récupération du corps inverse 1
Caractéristiques électriques ((Ta=25oC, sauf indication contraire)
JUYI 500V/8A N Mode d'amélioration du canal MOSFET de puissance avec commutation rapide et récupération du corps inverse 2

JUYI 500V/8A N Mode d'amélioration du canal MOSFET de puissance avec commutation rapide et récupération du corps inverse 3

JUYI 500V/8A N Mode d'amélioration du canal MOSFET de puissance avec commutation rapide et récupération du corps inverse 4

Balises: 

conducteur de transistor MOSFET de pwm  

conducteur à forte intensité de transistor MOSFET  

conducteur de pas de transistor MOSFET

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