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Puissance élevée de mode d'amélioration de transistor MOSFET de conducteur de moteur du côté BLDC pour la commutation de puissance

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Examens de client
Le grand service à la clientèle et tout sont arrivés à l'heure. Le produit était travail de qualité.

—— Malik William

Le grands produit et nous sont très heureux avec la réactivité. Nous avons acheté des périodes multiples et restons très satisfaisants.

—— Potier de Matheus

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Puissance élevée de mode d'amélioration de transistor MOSFET de conducteur de moteur du côté BLDC pour la commutation de puissance

Puissance élevée de mode d'amélioration de transistor MOSFET de conducteur de moteur du côté BLDC pour la commutation de puissance
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Image Grand :  Puissance élevée de mode d'amélioration de transistor MOSFET de conducteur de moteur du côté BLDC pour la commutation de puissance

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: JUYI
Numéro de modèle: JY4N8M
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1 jeu
Prix: Negotiable
Détails d'emballage: Carton du PE bag+
Délai de livraison: 5-10 jours
Conditions de paiement: T/T, L/C, Paypal
Capacité d'approvisionnement: 1000sets/day
Contact

Puissance élevée de mode d'amélioration de transistor MOSFET de conducteur de moteur du côté BLDC pour la commutation de puissance

description de
tension de Drain-source: 40V Tension de Porte-Source: ±20V
Courant pulsé de drain: 350A Dissipation de puissance maximum: 80W
Numéro de modèle: JY4N8M récupération inverse de corps: Oui
Surligner:

conducteur à forte intensité de transistor MOSFET

,

conducteur de transistor MOSFET de pwm

Transistor MOSFET de bâti de surface de puissance de mode d'amélioration de la Manche de JY4N8M N pour le conducteur de moteur de BLDC

 

 

DESCRIPTION GÉNÉRALE
Le JY4N8M utilise les dernières techniques de traitement de fossé pour réaliser la cellule élevée
la densité et réduit dessus la résistance de ‐ avec la basse charge de porte. Cartel de ces caractéristiques
pour faire à cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans la puissance
application de commutation et une grande variété d'autres applications.


CARACTÉRISTIQUES
● 40V/80A, le RDS (DESSUS) ≤6.5mΩ@VGS=10V
Commutation rapide de ● et récupération inverse de corps
Tension et courant d'avalanche entièrement caractérisés de ●
Excellent paquet de ● pour la bonne dissipation thermique


APPLICATIONS
Circuits dur commutés et à haute fréquence de ●
Gestion de puissance de ● pour des systèmes d'inverseur
 

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Puissance élevée de mode d'amélioration de transistor MOSFET de conducteur de moteur du côté BLDC pour la commutation de puissance 1

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MANUEL D'UTILISATION DU TÉLÉCHARGEMENT JY4N8M

Puissance élevée de mode d'amélioration de transistor MOSFET de conducteur de moteur du côté BLDC pour la commutation de puissance 3JY4N8M.pdf

Produit Tag:

conducteur de transistor MOSFET de pwm,

conducteur à forte intensité de transistor MOSFET,

conducteur de pas de transistor MOSFET

Coordonnées
Shanghai Juyi Electronic Technology Development Co., Ltd
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