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Aperçu ProduitsTransistor MOSFET de conducteur de moteur de BLDC

Conducteur à forte intensité de transistor MOSFET pour le conducteur de moteur de BLDC, transistor MOSFET de montage en pont de 30A H

Examens de client
Le grand service à la clientèle et tout sont arrivés à l'heure. Le produit était travail de qualité.

—— Malik William

Le grands produit et nous sont très heureux avec la réactivité. Nous avons acheté des périodes multiples et restons très satisfaisants.

—— Potier de Matheus

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Conducteur à forte intensité de transistor MOSFET pour le conducteur de moteur de BLDC, transistor MOSFET de montage en pont de 30A H

Conducteur à forte intensité de transistor MOSFET pour le conducteur de moteur de BLDC, transistor MOSFET de montage en pont de 30A H
Conducteur à forte intensité de transistor MOSFET pour le conducteur de moteur de BLDC, transistor MOSFET de montage en pont de 30A H Conducteur à forte intensité de transistor MOSFET pour le conducteur de moteur de BLDC, transistor MOSFET de montage en pont de 30A H

Image Grand :  Conducteur à forte intensité de transistor MOSFET pour le conducteur de moteur de BLDC, transistor MOSFET de montage en pont de 30A H

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: JUYI
Numéro de modèle: JY12M
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1 jeu
Prix: Negotiable
Détails d'emballage: Carton du PE bag+
Délai de livraison: 5-10 jours
Conditions de paiement: T/T, L/C, Paypal
Capacité d'approvisionnement: 1000sets/day

Conducteur à forte intensité de transistor MOSFET pour le conducteur de moteur de BLDC, transistor MOSFET de montage en pont de 30A H

description de
Tension de Drain-source: 30V Tension de Porte-source: ±20V
Dissipation de puissance maximum: 1.5W Courant pulsé de drain: 30A
Application du projet: Convertisseur CC/CC Couleur: Noir
Surligner:

conducteur de transistor MOSFET de pwm

,

conducteur de pas de transistor MOSFET

JY12M MOSFET de 30 V du canal N et P pour le pilote de moteur BLDC

 

 

 

Définition générale


Le JY12M est le N et P canaux logique mode d'amélioration du champ de puissance transistors
Ces produits sont fabriqués à l'aide de la technologie DMOS à haute densité cellulaire.
Ces dispositifs sont conçus pour réduire la résistance à l'état actif.
spécialement conçus pour les applications à basse tension telles que les téléphones cellulaires et les ordinateurs portables
la gestion de l'alimentation de l'ordinateur et d'autres circuits alimentés par batterie où le côté haut
la commutation, et une faible perte de puissance en ligne sont nécessaires dans une très petite surface de contour
le paquet de montage.


Caractéristiques

Dispositif RLe nombre de points de contrôle Je suis...DMAX25 °C
N-canal 20mΩ@VGS= 10 V 8.5A
32mΩ@VGS=4,5V 7.0A
P-canal 45mΩ@VGS= 10 V -5,5A
85mΩ@VGS=4,5 V -4.1A


● Faible capacité d'entrée
● Vitesse de commutation rapide


Applications
● Gestion de l'énergie
● Convertisseur CC/DC
● Contrôle du moteur CC
● Invertisseur d'affichage de téléviseurs LCD et de moniteurs
● Invertisseur CCFL

 

Rating maximal absolu ((Ta=25oC, sauf indication contraire)

Paramètre Le symbole Le canal N Canal P Unité
10 secondes Il est calme. 10 secondes Il est calme.
Voltage de la source de vidange VDSS 30 - 30 ans V
Voltage de la source de porte VDSS ±20 ±20
Continuité
Courant de drainage
Ta=25 oC Je suis...D 8.5 6.5 - Il y en a 7.0 - Il y en a cinq.3 Une
Ta=70 oC 6.8 5.1 - Il y en a cinq.5 - Il y en a 4.1
Courant de drainage pulsé Je suis...Le DM 30 - 30 ans
Puissance maximale
Dissipation
Ta=25 oC PD 1.5 W
Ta=70 oC 0.95
Junction de fonctionnement
Température
TJe - 55 à 150 oC
Résistance thermique
Junction avec Ambient
RθJA 61 100 62 103 oC/W
Résistance thermique
Junction au boîtier
RθJC 15 15 oC/W


 

Caractéristiques électriques ((Ta=25oC, sauf indication contraire)

Le symbole Paramètre Conditions d'utilisation - Je vous en prie. Le type Je suis désolé. Unité
Statique
VLe numéro d'immatriculation seuil de porte
Voltage
VRésultats de l'enquête=VGSJe...D= 250 uA N-Ch 1.0 1.5 3.0 V
VRésultats de l'enquête=VGSJe...D=-250uA P-Ch - Une.0 - Une.5 - Il y en a trois.0
Je suis...GSS Fuite de la porte
Actuel
VRésultats de l'enquête=0V, VGS= ± 20V N-Ch ± 100 nA
P-Ch ± 100
Je suis...DSS Voltage de sortie à zéro
Courant de drainage
VRésultats de l'enquête= 30V, VGS=0V N-Ch 1 UA
VRésultats de l'enquête=-30V, VGS=0V P-Ch - Je vous en prie.
Je suis...D ((ON) Écoulement à l'état
Actuel
VRésultats de l'enquête≥ 5V, VGS= 10 V N-Ch 20 Une
VRésultats de l'enquête≤ 5 V, VGS= 10 V P-Ch - 20 ans.
RRésultats de l'enquête Source de drainage
En état de marche
Résistance
VGS= 10V,ID= 7,4A N-Ch 15 20
VGS= 10 V,ID= 5,2A P-Ch 38 45
VGS= 4,5 V,ID= 6,0A N-Ch 23 32
VGS= 4,5 V,ID= 4,0A P-Ch 65 85
VSD Diode vers l' avant
Voltage
Je suis...S=1,7A,VGS=0V N-Ch 0.8 1.2 V
Je suis...S= -1,7A,VGS=0V P-Ch - Je ne sais pas.8 - Une.2


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Télécharger le manuel d'utilisation JY12M

Conducteur à forte intensité de transistor MOSFET pour le conducteur de moteur de BLDC, transistor MOSFET de montage en pont de 30A H 1Le rapport annuel annuel

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Shanghai Juyi Electronic Technology Development Co., Ltd

Personne à contacter: Ms. Lisa

Téléphone: +86-18538222869

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