Brief: Découvrez le parcours, de la description des caractéristiques à l'application réelle, dans cet aperçu concis du MOSFET de puissance à canal N à amélioration PWM JUYI 500V 8A. Découvrez comment ses techniques de traitement planaires avancées améliorent l'efficacité et la fiabilité dans les applications de commutation de puissance.
Related Product Features:
Tension nominale de 500V/8A avec RDS(ON) =0,75Ω@VGS=10V pour une commutation de puissance efficace.
Commutation rapide et récupération de corps inverse pour une meilleure performance.
Une excellente conception de l'emballage assure une bonne dissipation de la chaleur.
Densité cellulaire élevée obtenue grâce à des techniques de traitement planaires avancées.
Évaluation élevée des avalanches répétitives pour une fiabilité accrue.
Idéal pour l'éclairage et les alimentations à découpage à haut rendement.
Conception robuste adaptée à une grande variété d'applications.
Fabriqué en Chine avec assurance qualité pour le commerce international.
FAQ:
Quelles sont les principales caractéristiques du MOSFET PWM JUYI 500V 8A ?
Les principales caractéristiques incluent une tension nominale de 500V/8A, une commutation rapide, une récupération de la diode de corps inverse, une excellente dissipation thermique et une haute tenue en avalanche répétitive.
Pour quelles applications ce MOSFET est-il adapté ?
Ce MOSFET est idéal pour l'éclairage, les alimentations à découpage à haut rendement et diverses applications de commutation de puissance.
Comment la technique de traitement planaire avancée profite-t-elle à ce MOSFET ?
La technique de traitement planaire avancée augmente la densité des cellules et réduit la résistance à l'état passant, améliorant ainsi l'efficacité et la fiabilité de la commutation de puissance.