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Transistor MOSFET de conducteur de moteur de BLDC

JUYI N Channel High Voltage BLDC Motor Driver MOSFET Application de commutation de puissance de 210 W

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JUYI N Channel High Voltage BLDC Motor Driver MOSFET Application de commutation de puissance de 210 W

Nom De Marque:	JUYI
Numéro De Modèle:	JY11M
Nombre De Pièces:	1 jeu
Prix:	Négociable
Détails De L'emballage:	Carton du PE bag+
Conditions De Paiement:	T/T, L/C, Paypal

Informations détaillées

Description du produit

Informations détaillées

Lieu d'origine:

La Chine

Tension de Drain-source:

Pour les appareils électroniques

Tension de Porte-source:

Dissipation de puissance maximum:

Courant pulsé de drain:

Haute tension:

- Oui, oui.

récupération inverse du corps:

- Oui, oui.

Capacité d'approvisionnement:

1000sets/day

Mettre en évidence:

conducteur de transistor MOSFET de pwm

conducteur de pas de transistor MOSFET

Description du produit

Transistor MOSFET de puissance de mode d'amélioration de la Manche de JY11M N

DESCRIPTION GÉNÉRALE

Le JY11M utilise les dernières techniques de traitement de fossé pour réaliser la cellule élevée
la densité et réduit la sur-résistance avec l'estimation répétitive élevée d'avalanche. Ceux-ci
les caractéristiques combinent pour faire à cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour
utilisation dans l'application de commutation de puissance et une grande variété d'autres applications.

CARACTÉRISTIQUES

● 100V/110A, LE RDS (DESSUS) =6.5MΩ@VGS=10V
Commutation rapide de ● et récupération inverse de corps
Tension et courant d'avalanche entièrement caractérisés de ●
Excellent paquet de ● pour la bonne dissipation thermique

APPLICATIONS
Application de commutation de ●
Circuits dur commutés et à haute fréquence de ●
Gestion de puissance de ● pour des systèmes d'inverseur

Capacités absolues (Tc=25ºC sauf indication contraire)

Symbole	Paramètre	Limite	Unité
VDS	Tension de Drain-source	100	V
VGS	Tension de Porte-source	± 20	V
Identification	Drain continu Actuel	Tc=25ºC	110	A
Tc=100ºC	82
IDM	Courant pulsé de drain	395	A
Palladium	Dissipation de puissance maximum	210	W
TJ TSTG	Jonction et température de stockage fonctionnantes Gamme	-55 à +175	ºC
RθJC	Résistance-jonction thermique au cas	0,65	ºC/W
RθJA	Résistance-jonction thermique à ambiant	62

Caractéristiques électriques (Ta=25ºC sauf indication contraire)

Symbole	Paramètre	Conditions	Minute	Type	Maximum	Unité
Caractéristiques statiques
BVDSS	Drain-source Tension claque	VGS =0V, IDENTIFICATION =250UA	100	V
IDSS	Tension nulle de porte Vidangez le courant	VDS =100V, VGS =0V	1	uA
IGSS	Fuite de Porte-corps Actuel	=± 20V, VDS =0V de VGS	± 100	Na
VGS (Th)	Seuil de porte Tension	VDS = VGS, IDENTIFICATION =250UA	2,0	3,0	4,0	V
LE RDS (DESSUS)	Drain-source résistance de Sur-état	VGS =10V, IDENTIFICATION =40A	6,5	mΩ
gFS	En avant Transconductance	VDS =50V, IDENTIFICATION =40A	100	S

JUYI N Channel High Voltage BLDC Motor Driver MOSFET Application de commutation de puissance de 210 W 0

MANUEL D'UTILISATION DU TÉLÉCHARGEMENT JY11M

JY11M.pdf

Balises:

Conducteur à forte intensité de transistor MOSFET pour le conducteur de moteur de BLDC, transistor MOSFET de montage en pont de 30A H

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