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Conducteur à forte intensité de transistor MOSFET pour le conducteur de moteur de BLDC, transistor MOSFET de montage en pont de 30A H

Examens de client
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Conducteur à forte intensité de transistor MOSFET pour le conducteur de moteur de BLDC, transistor MOSFET de montage en pont de 30A H

Conducteur à forte intensité de transistor MOSFET pour le conducteur de moteur de BLDC, transistor MOSFET de montage en pont de 30A H
Conducteur à forte intensité de transistor MOSFET pour le conducteur de moteur de BLDC, transistor MOSFET de montage en pont de 30A H Conducteur à forte intensité de transistor MOSFET pour le conducteur de moteur de BLDC, transistor MOSFET de montage en pont de 30A H

Image Grand :  Conducteur à forte intensité de transistor MOSFET pour le conducteur de moteur de BLDC, transistor MOSFET de montage en pont de 30A H

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: JUYI
Numéro de modèle: JY12M
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1 jeu
Prix: Negotiable
Détails d'emballage: Carton du PE bag+
Délai de livraison: 5-10 jours
Conditions de paiement: T/T, L/C, Paypal
Capacité d'approvisionnement: 1000sets/day

Conducteur à forte intensité de transistor MOSFET pour le conducteur de moteur de BLDC, transistor MOSFET de montage en pont de 30A H

description de
tension de Drain-source: 30 V Tension de Porte-Source: ±20V
Dissipation de puissance maximum: 1.5W Courant pulsé de drain: 30 A
Application: Convertisseur de DC/DC couleur: Black

JY12M N et P acheminent le transistor MOSFET 30V pour le conducteur de moteur de BLDC

 

 

 

DESCRIPTION GÉNÉRALE


Le JY12M est les transistors de champ de puissance de mode d'amélioration de logique de la Manche de N et de P
sont produits utilisant la technologie élevée de fossé de la densité DMOS de cellules. Cette haute densité
le processus est particulièrement travaillé pour réduire au minimum la résistance de sur-état. Ces dispositifs sont
en particulier adapté à l'application de basse tension telle que le téléphone mobile et le carnet
gestion de puissance d'ordinateur et d'autres circuits à piles où haut-side
le changement, et la basse perte de puissance intégrée sont nécessaires dans une surface très petite d'ensemble
paquet de bâti.


CARACTÉRISTIQUES

Dispositif LE RDS (DESSUS) MAX IDMAX (25ºC)
N-canal 20mΩ@VGS=10V 8.5A
32mΩ@VGS=4.5V 7.0A
P-canal 45mΩ@VGS=-10V -5.5A
85mΩ@VGS=-4.5V -4.1A


Basse capacité d'entrée de ●
Vitesse de commutation rapide de ●


APPLICATIONS
Gestion de puissance de ●
Convertisseur du ● DC/DC
Contrôle de moteur de C.C de ●
Affichage à cristaux liquides TV de ● et inverseur d'affichage de moniteur
Inverseur du ● CCFL

 

Capacités absolues (Ta=25ºC sauf indication contraire)

Paramètre Symbole La Manche de N La Manche de P Unité
sec 10 Régulier sec 10 Régulier
Vidangez la tension de source VDSS 30 -30 V
Tension de source de porte VDSS ±20 ±20
Continu
Vidangez le courant
ºC Ta=25 Identification 8,5 6,5 -7,0 -5,3 A
ºC Ta=70 6,8 5,1 -5,5 -4,1
Courant pulsé de drain IDM 30 -30
Puissance maximum
Dissipation
ºC Ta=25 Palladium 1,5 W
ºC Ta=70 0,95
Jonction fonctionnante
La température
TJ -55 à 150 ºC
Résistance thermique
Jonction à ambiant
RθJA 61 100 62 103 ºC/W
Résistance thermique
Jonction au cas
RθJC 15 15 ºC/W


Caractéristiques électriques (Ta=25ºC sauf indication contraire)

Symbole Paramètre Conditions Minute Type Maximum Unité
Statique
VGS (Th) Seuil de porte
Tension
VDS =VGS, IDENTIFICATION =250UA N-ch 1,0 1,5 3,0 V
VDS =VGS, IDENTIFICATION =-250UA P-ch -1,0 -1,5 -3,0
IGSS Fuite de porte
Actuel
VDS =0V, VGS =±20V N-ch ±100 Na
P-ch ±100
IDSS Tension nulle de porte
Vidangez le courant
VDS =30V, VGS =0V N-ch 1 uA
VDS =-30V, VGS =0V P-ch -1
IDENTIFICATION (DESSUS) Drain de Sur-état
Actuel
VDS ≥5V, VGS =10V N-ch 20 A
VDS ≤-5V, VGS =-10V P-ch -20
LE RDS (DESSUS) Drain-source
Sur-état
Résistance
VGS =10V, IDENTIFICATION =7.4A N-ch 15 20
VGS =-10V, IDENTIFICATION =-5.2A P-ch 38 45
VGS =4.5V, IDENTIFICATION =6.0A N-ch 23 32
VGS =-4.5V, IDENTIFICATION =-4.0A P-ch 65 85
VSD Diode en avant
Tension
EST =1.7A, VGS =0V N-ch 0,8 1,2 V
EST =-1.7A, VGS =0V P-ch -0,8 -1,2


Conducteur à forte intensité de transistor MOSFET pour le conducteur de moteur de BLDC, transistor MOSFET de montage en pont de 30A H 0

 

MANUEL D'UTILISATION DU TÉLÉCHARGEMENT JY12M

Conducteur à forte intensité de transistor MOSFET pour le conducteur de moteur de BLDC, transistor MOSFET de montage en pont de 30A H 1JY12M.pdf

Coordonnées
Shanghai Juyi Electronic Technology Development Co., Ltd

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