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Détails sur le produit:
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| Tension de Drain-source: | 600 V | Tension de Porte-source: | ±30V |
|---|---|---|---|
| Dissipation de puissance maximum: | 33W | Courant pulsé de drain: | 16A |
| Application du projet: | Éclairage | Forme: | carré |
| Surligner: | conducteur de transistor MOSFET de pwm,conducteur de pas de transistor MOSFET |
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Paquet de la Manche 600V TO220F-3 de JY16M N
Transistor MOSFET de puissance de mode d'amélioration pour le conducteur de moteur de BLDC
DESCRIPTION GÉNÉRALE
Le JY16M utilise les dernières techniques de traitement de fossé pour réaliser la cellule élevée
la densité et réduit la sur-résistance avec l'estimation répétitive élevée d'avalanche. Ceux-ci
les caractéristiques combinent pour faire à cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour
utilisation dans l'application de commutation de puissance et une grande variété d'autres applications.
CARACTÉRISTIQUES
● 600V/4A, LE RDS (DESSUS) =2.6Ω@VGS=10V
Commutation rapide de ● et récupération inverse de corps
Excellent paquet de ● pour la bonne dissipation thermique
APPLICATIONS
Éclairage de ●
Alimentations d'énergie de mode de commutateur de rendement élevé de ●
Capacités absolues (Tc=25ºC sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Évaluation | Unité | |
| VDS | Tension de Drain-source | 600 | V | |
| VGS | Tension de Porte-source | ± 30 | V | |
| Identification | Drain continu Actuel |
Tc=25ºC | 4 | A |
| Tc=100ºC | 2,9 | |||
| IDM | Courant pulsé de drain | 16 | A | |
| Palladium | Dissipation de puissance maximum | 33 | W | |
| TJ TSTG | Jonction et température de stockage fonctionnantes Gamme |
-55 à +150 | ºC | |
| RθJC | Résistance-jonction thermique au cas | 1,5 | ºC/W | |
| RθJA | Résistance-jonction thermique à ambiant | 62 |
Caractéristiques électriques (Tc=25ºC sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Conditions | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Caractéristiques statiques | ||||||
| BVDSS | Drain-source Tension claque |
VGS =0V, IDENTIFICATION =250UA | 600 | V | ||
| IDSS | Tension nulle de porte Vidangez le courant |
VDS =600V, VGS =0V | 1 | uA | ||
| IGSS | Fuite de Porte-corps Actuel |
=± 30V, VDS =0V de VGS | ± 100 | Na | ||
| VGS (Th) | Seuil de porte Tension |
VDS = VGS, IDENTIFICATION =250UA | 2,0 | 3,0 | 4,0 | V |
| LE RDS (DESSUS) | Drain-source résistance de Sur-état |
VGS =10V, IDENTIFICATION =4A | 2,6 | 2,8 | Ω |
Caractéristiques électriques (Tc=25ºC sauf indication contraire)
| Symbole | Paramètre | Conditions | Minute | Type | Maximum | Unité |
| Caractéristiques de diode de Drain-source | ||||||
| VSD | Diode en avant Tension |
VGS =0V, ISD =2A | 1,5 | V | ||
| Trr | Temps de rétablissement inverse | ISD =4A di/dt=100A/us |
260 | NS | ||
| Qrr | Charge inverse de récupération | 1,5 | OR | |||
| Caractéristiques dynamiques | ||||||
| RG | Résistance de porte | VGS =0V, VDS =0V, f=1MHZ |
5 | Ω | ||
| Le TD (dessus) | Temps de retard d'ouverture | VDS =300V, RG =25Ω, IDENTIFICATION =4A, VGS =10V, |
15 | NS | ||
| TR | Temps de montée d'ouverture | 48 | ||||
| Le TD () | Temps de retard d'arrêt | 28 | ||||
| Tf | Temps d'arrêt d'automne | 35 | ||||
| CISS | Capacité d'entrée | VGS =0V, VDS =25V, f=1.0MHz |
528 | PF | ||
| COSS | Capacité de sortie | 72 | ||||
| CRSS | Transfert inverse Capacité |
9 | ||||
| Qg | Charge totale de porte | VDS =480V, IDENTIFICATION =4A, VGS =10V |
16 | OR | ||
| Qgs | Charge de Porte-source | 3,5 | ||||
| Qgd | Charge de Porte-drain | 7,1 |
MANUEL D'UTILISATION DU TÉLÉCHARGEMENT JY16M
Personne à contacter: Ms. Lisa
Téléphone: +86-18538222869
