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Aperçu ProduitsTransistor MOSFET de conducteur de moteur de BLDC

JUYI JY14M Paramètre BLDC pilote de moteur MOSFET Circuits à commutation dure et haute fréquence

Examens de client
Le grand service à la clientèle et tout sont arrivés à l'heure. Le produit était travail de qualité.

—— Malik William

Le grands produit et nous sont très heureux avec la réactivité. Nous avons acheté des périodes multiples et restons très satisfaisants.

—— Potier de Matheus

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JUYI JY14M Paramètre BLDC pilote de moteur MOSFET Circuits à commutation dure et haute fréquence

JUYI JY14M Paramètre BLDC pilote de moteur MOSFET Circuits à commutation dure et haute fréquence
JUYI JY14M Paramètre BLDC pilote de moteur MOSFET Circuits à commutation dure et haute fréquence JUYI JY14M Paramètre BLDC pilote de moteur MOSFET Circuits à commutation dure et haute fréquence

Image Grand :  JUYI JY14M Paramètre BLDC pilote de moteur MOSFET Circuits à commutation dure et haute fréquence

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: JUYI
Numéro de modèle: JY14M
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1 jeu
Prix: Negotiable
Détails d'emballage: Carton du PE bag+
Délai de livraison: 5-10 jours
Conditions de paiement: T/T, L/C, Paypal
Capacité d'approvisionnement: 1000sets/day

JUYI JY14M Paramètre BLDC pilote de moteur MOSFET Circuits à commutation dure et haute fréquence

description de
Tension de Drain-source: 40 V Tension de Porte-source: ±20V
Dissipation de puissance maximum: 210W Courant pulsé de drain: 720A
Circuits à haute fréquence: - Oui, oui. Couleur: Noir et blanc
Surligner:

conducteur à forte intensité de transistor MOSFET

,

conducteur de transistor MOSFET de pwm

JY14M N Mode d'amélioration du canal MOSFET de puissance pour le pilote de moteur BLDC

 

 

Définition générale


Le JY14M utilise les dernières techniques de traitement des tranchées pour atteindre la haute cellule
Ces dispositifs permettent de réduire la densité et de réduire la résistance à l'allumage grâce à un taux élevé d'avalanches répétitives.
Les caractéristiques combinées font de cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour
utilisation dans les applications de commutation de puissance et dans une grande variété d'autres applications.


Caractéristiques
● 40V/200A, RRésultats de l'enquête= 2,5mΩ@VGS= 10 V
● Un changement rapide et une récupération inverse du corps
● Voltage et courant d'avalanche parfaitement caractérisés
● Excellent emballage pour une bonne dissipation de la chaleur


Applications
● Changement d'application
● Circuits à haute fréquence et à commutation dure
● Gestion de l'énergie pour les systèmes d'onduleurs

 

Rating maximal absolu ((Tc=25oC, sauf indication contraire)

Le symbole Paramètre Limite Unité
VRésultats de l'enquête Voltage de la source de vidange 40 V
VGS Voltage de la porte de sortie ±20 V
Je suis...D Écoulement continu
Actuel
Tc = 25oC 200 Une
Tc = 100oC 130
Je suis...Le DM Courant de drainage pulsé 720 Une
PD Dissipation de puissance maximale 210 W
TJeTGST Température de jonction de fonctionnement et de stockage
Portée
-55 à +175 oC
RθJC Résistance thermique - jonction avec le boîtier 0.65 oC/W
RθJA Résistance thermique - jonction avec l'environnement 62


Caractéristiques électriques ((Ta=25oC, sauf indication contraire)

Le symbole Paramètre Conditions d'utilisation - Je vous en prie. Le type Je suis désolé. Unité
Caractéristiques statiques
BVDSS Source de drainage
Voltage de rupture
VGS= 0V,IRésultats de l'enquête= 250 uA 40 V
Je suis...DSS Voltage de sortie à zéro
Courant de drainage
VRésultats de l'enquête= 100V,VGS=0V 1 UA
Je suis...GSS Fuite du corps de la porte
Actuel
VGS=±20V,VRésultats de l'enquête=0V ±100 nA
VLe numéro d'immatriculation seuil de porte
Voltage
VRésultats de l'enquête= VGS,Je suis...Résultats de l'enquête= 250 uA 2.0 3.0 4.0 V
RRésultats de l'enquête Source de drainage
Résistance en état
VGS= 10V,IRésultats de l'enquête= 60A 2.5
gFS En avant
Transconductivité
VRésultats de l'enquête= 20 V, IRésultats de l'enquête= 60A 100 S


Caractéristiques électriques ((Ta=25oC, sauf indication contraire)

Le symbole Paramètre Conditions d'utilisation - Je vous en prie. Le type Je suis désolé. Unité
Caractéristiques de la diode de fuite
VSD Diode vers l' avant
Voltage
VGS= 0V,ISD= 100A 1.2 V
Trr Temps de récupération inverse Je suis...SD= 100A
le di/dt=100A/us
38 ns
Qu' est-ce qui vous prend? Frais de recouvrement inversés 58 nC
Caractéristiques dynamiques
RG Résistance de la porte VGS=0V,VRésultats de l'enquête=0V,
Le nombre de fois où les données sont utilisées.
1.2 Oh
T- Je ne sais pas. Temps de retard d'activation VRésultats de l'enquête= 20V, RG= 6Ω,
Je suis...
Résultats de l'enquête= 100A,
V
GS= 10 V,
34 ns
Tr Temps de montée en marche 22
T- Je suis désolé. Temps de retard de déclenchement 48
Tf Temps de déclenchement 60
CRésultats Capacité d'entrée VGS =0V,
V
Résultats de l'enquête= 20 V,
f=1,0MHz
5714 PF
COSS Capacité de sortie 1460
CRSS Transfert inverse
Capacité
600
Q. Je vous en prie.g Tarif total de la passerelle VRésultats de l'enquête= 30 V,ID= 100A,
V
GS= 10 V
160 nC
Q. Je vous en prie.gs Charge de la source de passerelle 32
Q. Je vous en prie.Gd Charge de déverrouillage 58


 

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Télécharger le manuel d'utilisation JY14M

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Coordonnées
Shanghai Juyi Electronic Technology Development Co., Ltd

Personne à contacter: Ms. Lisa

Téléphone: +86-18538222869

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